IR2153S
不建议用于新设计
符合RoHS标准
无铅

IR2153S

对于新设计，我们推荐 IRS2153D
数据手册
封装
多个 OPN 可用

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IR2153S
IR2153S
数据手册


商品详情

  • VBS UVLO (On)
    10 V
  • VBS UVLO (Off)
    8 V
  • VCC UVLO (Off)
    8 V
  • VCC UVLO (On)
    9 V
  • 拓扑结构
    Half-Bridge
  • 电压等级
    600 V
  • 质量等级
    Industrial
  • 输入Vcc 范围
    10 V 至 15.6 V
  • 通道
    2
  • 隔离类型
    Functional levelshift JI (Junction Isolated)

OPN
IR2153STRPBF IR2153SPBF
产品状态 not for new design discontinued
英飞凌封装名称
SOIC 8N
SOIC 8N
封装名 N/A N/A
封装尺寸 2500 3800
封装类型 TAPE & REEL TUBE
湿度 2 2
防潮封装 DRY DRY
无铅 Yes Yes
无卤素 Yes Yes
符合RoHS标准 Yes Yes
封装产地
TH
TH
晶圆产地
TW
TW

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
SOIC 8N
封装名 -
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 2
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
TH
晶圆产地
TW

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
SOIC 8N
封装名 -
封装尺寸 3800
封装类型 TUBE
湿度 2
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
TH
晶圆产地
TW
自振荡 600 V 半桥驱动器 IC，具有典型的 0 A 拉电流和 0 A 灌电流，采用 8 引线 SOIC 封装，适用于 IGBT 和 MOSFET。还提供 8 引脚 PDIP。

特性

  • 整数。 600 V 半桥驱动器
  • 15.6V 齐纳钳位在 Vcc
  • 真正的微功率启动
  • 更严格的初始死区时间控制
  • 低温。系数死区时间
  • 关闭。壮举。CT 引脚上的 (1/6th Vcc)
  • 增量。欠压。锁定滞后
  • 低功率电平转换电路
  • Const。启动时的 LO、HO 脉冲宽度
  • 更低的 di/dt 可实现更佳的噪声性能。
  • 低侧输出与 RT 同相
  • 出色的锁存免疫力

应用

图表

Circuit_Diagramm_IR2153S
Circuit_Diagramm_IR2153S
Circuit_Diagramm_IR2153S Circuit_Diagramm_IR2153S Circuit_Diagramm_IR2153S
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