IR25607S
在产
符合RoHS标准
无铅

IR25607S

具有关断功能的 600 V 高侧和低侧栅极驱动器 IC

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IR25607S
IR25607S


商品详情

  • VBS UVLO (Off)
    8.2 V
  • VBS UVLO (On)
    8.6 V
  • VCC UVLO (Off)
    8.2 V
  • VCC UVLO (On)
    8.5 V
  • 关断传播延迟
    94 ns
  • 开通传播延迟
    120 ns
  • 拓扑结构
    High-side and low-side
  • 电压等级
    600 V
  • 质量等级
    Industrial
  • 输入Vcc 范围
    10 V 至 20 V
  • 输出电流 (Source)
    2.5 A
  • 输出电流 (Sink)
    2.5 A
  • 通道
    2
  • 隔离类型
    Functional levelshift JI (Junction Isolated)

OPN
IR25607STRPBF
产品状态 active
英飞凌封装名称
封装名 N/A
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
MY
晶圆产地
TW

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 -
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
MY
晶圆产地
TW
600 V 高侧和低侧驱动器 IC,具有典型的 2.5 A 拉电流和 2.5 A 灌电流,采用 16 引线 SOICWB 封装,适用于 IGBT 和 MOSFET。

特性

  • 用于引导操作的浮动通道。
  • Integ.600 V 半桥驱动器
  • 可耐受负电压。瞬态电压。
  • dV/dt 免疫
  • 栅极驱动电源:10 V 至 20 V
  • 双通道欠压锁定
  • 3.3V 逻辑兼容
  • 9 月。逻辑电源:3.3 至 20 V
  • 逻辑和电源地 +/- 5 V 偏移
  • CMOS 施密特触发输入
  • C-by-c 边沿触发。关机逻辑
  • 匹配的道具。两个通道均延迟。

产品优势

  • Independent output channels give flexible high- and low-side control
  • High- and low-side driver in one IC means smaller PCB area and lower BOM

图表

Circuit_Diagramm_IR25607S
Circuit_Diagramm_IR25607S
Circuit_Diagramm_IR25607S Circuit_Diagramm_IR25607S Circuit_Diagramm_IR25607S
文档

设计资源

开发者社区