IRF100P218
现货，推荐
符合RoHS标准

IRF100P218

100V 单 N 通道 StrongIRFET ™功率 MOSFET，采用 TO-247 封装
数据手册
封装

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IRF100P218
IRF100P218
数据手册


商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    483 A
  • 最高 Ptot
    556 W
  • Qgd
    80 nC
  • QG (typ @10V)
    330 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    1.28 mΩ
  • 最高 RDS (on)
    1.28 mΩ
  • 最高 RthJC
    0.27 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    100 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO-247
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    3.12

推荐的
OPN
IRF100P218AKMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
封装尺寸 400
封装类型 TUBE
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
封装尺寸 400
封装类型 TUBE
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

特性

  • UPS 和逆变器应用
  • 半桥和全桥拓扑
  • 谐振模式电源
  • DC-DC 和 AC-DC 转换器
  • 或门和冗余电源开关
  • 有刷和 BLDC 电机驱动应用
  • 电池供电电路

产品优势

  • 增强耐用性：栅极、动态 dv/dt
  • 100% 电容和雪崩 SOA 测试
  • 改进的体二极管 dv/dt
  • 无铅；符合 RoHS 标准；无卤素
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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