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符合RoHS标准

IRF1010E

采用 TO-220 封装的 60V 单 N 沟道功率 MOSFET
数据手册
封装
每件.
有存货

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IRF1010E
IRF1010E
每件.
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    84 A
  • Ptot max
    170 W
  • Qgd
    29.3 nC
  • QG (typ @10V)
    86.6 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    12 mΩ
  • RthJC max
    0.9 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    60 V
  • VGS(th)
    3 V
  • VGS max
    20 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO-220
  • 工作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    0.44
推荐的
OPN
IRF1010EPBF
产品状态 active
英飞凌封装名称
TO220
封装名 TO220
包装尺寸 1000
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
TO220
封装名 TO220
包装尺寸 1000
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
IR MOSFET 系列产品采用成熟的硅工艺，为设计人员提供了丰富的器件组合，以支持各种应用，例如直流电机、逆变器、SMPS、照明、负载开关以及电池供电应用等。这些器件拥有各种表贴封装装和通孔封装产品，都是行业标准封装，便于设计。

特性

  • 适用于宽 SOA 的平面单元结构
  • 针对分销合作伙伴的广泛可用性进行了优化
  • 产品符合 JEDEC 标准
  • 行业标准表面贴装功率封装
  • 高额定电流

产品优势

  • 增强耐用性
  • 分销合作伙伴广泛供应
  • 行业标准资质水平
  • 标准引脚排列，可直接替换
  • 高电流承载能力

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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