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IRF1010ZS
停产
已停产
符合RoHS标准

IRF1010ZS

停产
采用 D2-Pak 封装的 55V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET
数据手册
封装

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IRF1010ZS
IRF1010ZS
数据手册


商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    94 A
  • 最高 Ptot
    140 W
  • Qgd
    24 nC
  • QG (typ @10V)
    63 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    7.5 mΩ
  • 最高 RthJC
    1.11 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    55 V
  • VGS(th) 范围
    2 V 至 4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    D2PAK (TO-263)
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    1
  • 预算价格€/1k
    0.5

OPN
IRF1010ZSTRLPBF
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
D2PAK
封装名 D2PAK
封装尺寸 800
封装类型 TAPE & REEL LEFT
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
CN
晶圆产地
TW

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
D2PAK
封装名 D2PAK
封装尺寸 800
封装类型 TAPE & REEL LEFT
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
CN
晶圆产地
TW

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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