IRF1018ESL

采用 TO-262 封装的 60V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET
数据手册

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IRF1018ESL
IRF1018ESL
数据手册

商品详情

  • ID (@ TC=25°C) max
    79 A
  • ID (@ TC=100°C) max
    56 A
  • ID max
    56 A
  • Ptot max
    110 W
  • Qgd
    12 nC
  • QG
    46 nC
  • RDS (on) max
    8.4 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    8.4 mΩ
  • RthJC max
    1.32 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    60 V
  • VGS max
    20 V
  • Mounting
    THT
  • Package
    I2PAK (TO-262)
  • Polarity
    N
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:

产品优势

  • 符合 RoHS 规定

应用

文档

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