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IRF135SA204
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IRF135SA204

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135V 单 N 通道 StrongIRFET ™功率 MOSFET，采用 D2PAK-7pin 封装
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IRF135SA204
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商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    160 A
  • 最高 Ptot
    500 W
  • Qgd
    57 nC
  • QG (typ @10V)
    210 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    5.9 mΩ
  • 最高 RthJC
    0.3 K/W, 175 K/W
  • 最高 VDS
    135 V
  • VGS(th) 范围
    2 V 至 4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    D2PAK 7pin (TO-263 7pin)
  • 最高 工作温度
    175 °C
  • 最低 工作温度
    -55 °C
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    1
  • 预算价格€/1k
    2.95

OPN
IRF135SA204
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
D2PAK7P
封装名 D2PAK 7-pin
封装尺寸 800
封装类型 TAPE & REEL LEFT
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
MX
晶圆产地
GB,MY
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
D2PAK7P
封装名 D2PAK 7-pin
封装尺寸 800
封装类型 TAPE & REEL LEFT
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
MX
晶圆产地
GB,MY
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英飞凌最新的 135 V StrongIRFET ™功率 MOSFET 器件为电池供电应用提供低 RDS(on)、稳健性、可靠性和成本效益。该设备非常适合需要性能和坚固性的低频应用。

特性

  • 针对分销合作伙伴的广泛可用性进行了优化
  • 产品符合 JEDEC 标准
  • 行业标准表面贴装功率封装
  • 与 D2PAK（相同芯片尺寸）相比，额定电流更高（高出 23%）

产品优势

  • 分销合作伙伴广泛供应
  • 行业标准资质水平
  • 标准引脚排列允许直接替换
  • 高功率密度

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区