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IRF1404L
停产
已停产
符合RoHS标准

IRF1404L

停产
采用 TO-262 封装的 40V 单 N 沟道功率 MOSFET
封装

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IRF1404L
IRF1404L

商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    162 A
  • 最高 Ptot
    200 W
  • Qgd
    42 nC
  • QG (typ @10V)
    160 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    4 mΩ
  • 最高 RthJC
    0.75 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    40 V
  • VGS(th) 范围
    2 V 至 4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    I2PAK (TO-262)
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    0.92
OPN
IRF1404LPBF
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
TO262
封装名 I2PAK
封装尺寸 1000
封装类型 TUBE
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
TO262
封装名 I2PAK
封装尺寸 1000
封装类型 TUBE
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

特性

  • 适用于宽 SOA 的平面单元结构
  • 针对最广泛的可用性进行了优化
  • 符合 JEDEC 的产品认证
  • 行业标准表面贴装电源
  • 高额定电流

产品优势

  • 增强坚固性
  • 多供应商兼容性
  • 行业标准资质等级
  • 采用标准引脚排列的直接替换
  • 高电流承载能力

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区