IRF1503S

采用 D2-Pak 封装的 30V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET
数据手册

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IRF1503S
IRF1503S
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    190 A
  • IDpuls max
    960 A
  • Ptot max
    200 W
  • Qgd
    41 nC
  • QG (typ @10V)
    130 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    3.3 mΩ
  • RthJA max
    62 K/W
  • RthJC max
    0.75 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    30 V
  • VGS(th)
    3 V
  • VGS max
    20 V
  • Mounting
    SMD
  • Package
    D2PAK (TO-263)
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Pin Count
    3 Pins
  • Polarity
    N
  • Moisture Sensitivity Level
    1
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:

产品优势

  • 符合 RoHS 规定
  • 低 RDS(on)
  • 行业领先的品质
  • 动态 dv/dt 额定值
  • 快速切换
  • 完全符合雪崩等级
  • 工作温度 175°C

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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