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停产
已停产
符合RoHS标准

IRF200B211

停产
200V 单 N 通道 IR MOSFET ™功率 MOSFET，采用 TO-220 封装
数据手册
封装

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IRF200B211
IRF200B211
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    12 A
  • Ptot max
    80 W
  • Qgd
    5.6 nC
  • QG (typ @10V)
    15.3 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    170 mΩ
  • RthJC max
    1.88 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    200 V
  • VGS(th)
    3.95 V
  • VGS max
    20 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO-220
  • 工作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    0.48
OPN
IRF200B211 IRF200B211XKMA1
产品状态 discontinued discontinued
英飞凌封装名称
TO220
PG-TO220-3
封装名 TO220 N/A
包装尺寸 1000 1000
包装类型 TUBE TUBE
湿度 NA NA
防潮包装 NON DRY NON DRY
无铅 No Yes
无卤素 Yes Yes
符合RoHS标准 Yes Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
TO220
封装名 TO220
包装尺寸 1000
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称 PG-TO220-3
封装名 -
包装尺寸 1000
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IR MOSFET 系列产品采用成熟的硅工艺，为设计人员提供了丰富的器件组合，以支持各种应用，例如直流电机、逆变器、SMPS、照明、负载开关以及电池供电应用等。这些器件拥有各种表贴封装装和通孔封装产品，都是行业标准封装，便于设计。优化的栅极驱动选项使设计人员能够灵活地选择超级、逻辑或正常级别的驱动器。

特性

  • 针对最广泛的可用性进行了优化
  • 产品符合 JEDEC 认证
  • 行业标准通孔电源
  • 高电流承载能力封装

产品优势

  • 多供应商兼容性
  • 行业标准资质水平
  • 采用标准引脚排列的直接替换
  • 提高电流承载能力

文档

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