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IRF300P226
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IRF300P226

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采用 TO-247AC 封装的 300V 单 N 通道 StrongIRFET ™

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IRF300P226
IRF300P226


商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    75 A
  • ID (@ TC=100°C)
    53 A
  • 最高 Ptot
    313 W
  • Qgd
    24 nC
  • QG (typ @10V)
    127 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    19 mΩ
  • 最高 RDS (on)
    19 mΩ
  • 最高 RthJC
    0.48 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    300 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO-247
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N
  • 蓄电池电压
    144-200 V
  • 预算价格€/1k
    4.65

OPN
IRF300P226
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
封装名 TO247
封装尺寸 400
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
CN
晶圆产地
AT

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
封装名 TO247
封装尺寸 400
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
CN
晶圆产地
AT

产品优势

  • 增强了门极、雪崩和动态 dv/dt 的耐用性
  • 全面表征电容和雪崩 SOA
  • 增强型体二极管 dv/dt 和 di/dt 能力
  • 无铅;符合 RoHS 规定;无卤素
文档

设计资源

开发者社区