不建议用于新设计
符合RoHS标准
无铅

IRF3205Z

采用 TO-220 封装的 55V 单 N 沟道功率 MOSFET
数据手册

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IRF3205Z
IRF3205Z
数据手册

商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    110 A
  • 最高 Ptot
    170 W
  • Qgd
    30 nC
  • QG (typ @10V)
    76 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    6.5 mΩ
  • 最高 RthJC
    0.9 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    55 V
  • VGS(th) 范围
    2 V 至 4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO-220
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    0.41, 0.41
OPN
IRF3205ZPBFXKMA1 IRF3205ZPBF
产品状态 not for new design discontinued
英飞凌封装名称 PG-TO220-3
TO220
封装名 N/A TO220
包装尺寸 1000 1000
包装类型 TUBE TUBE
湿度 NA NA
防潮包装 NON DRY NON DRY
无铅 Yes Yes
无卤素 Yes No
符合RoHS标准 Yes Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称 PG-TO220-3
封装名 -
包装尺寸 1000
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
TO220
封装名 TO220
包装尺寸 1000
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
StrongIRFET™ 功率 MOSFET 系列针对低 RDS(on) 和高电流能力进行了优化。 这些器件非常适合要求高性能和耐用性的低频应用。丰富的产品组合适合广泛的应用，包括直流电机、电池管理系统、逆变器和 DC-DC 变换器。

特性

  • 针对最广泛的可用性进行了优化
  • 产品符合 JEDEC 认证
  • 行业标准通孔电源
  • 高额定电流

产品优势

  • 分布广泛
  • 行业标准资质水平
  • 标准引脚排列的直接替换
  • 高电流承载能力

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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