IRF3315S

数据手册

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IRF3315S
IRF3315S
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    21 A
  • Ptot max
    94 W
  • Qgd
    31.3 nC
  • QG (typ @10V)
    63.3 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    82 mΩ
  • RthJC max
    1.6 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    150 V
  • VGS(th)
    3 V
  • VGS max
    20 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    D2PAK (TO-263)
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    1
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:

产品优势

  • 适用于宽 SOA 的平面单元结构
  • 针对分销合作伙伴的最广泛可用性进行了优化
  • 产品符合 JEDEC 标准
  • 针对低于 <100kHz 开关应用进行了硅优化
  • 行业标准表面贴装功率封装
  • 高电流承载能力封装（高达 195 A，取决于芯片尺寸）
  • 可进行波峰焊

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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