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IRF3703
停产
已停产
符合RoHS标准
无铅

IRF3703

停产
采用 TO-220 封装的 30V 单 N 沟道功率 MOSFET

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IRF3703
IRF3703


商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    210 A
  • 最高 Ptot
    230 W
  • Qgd
    42 nC
  • QG (typ @10V)
    209 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    2.8 mΩ
  • 最高 RthJC
    0.65 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    30 V
  • VGS(th) 范围
    2 V 至 4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO-220
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    1.19

OPN
IRF3703PBF
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
封装名 TO220
封装尺寸 1000
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
封装名 TO220
封装尺寸 1000
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IR MOSFET 系列产品采用成熟的硅工艺,为设计人员提供了丰富的器件组合,以支持各种应用,例如直流电机、逆变器、SMPS、照明、负载开关以及电池供电应用等。这些器件拥有各种表贴封装装和通孔封装产品,都是行业标准封装,便于设计。

特性

  • 适用于宽 SOA 的平面单元结构
  • 针对最广泛的可用性进行了优化
  • 符合 JEDEC 的产品认证
  • 针对应用进行了优化的硅片
  • 行业标准通孔电源
  • 高额定电流

产品优势

  • 增强的坚固性
  • 广泛的分销可用性
  • 行业标准资格
  • 高性能、低频率
  • 标准引脚排列,直接替换
  • 高电流能力

应用

文档

设计资源

开发者社区