IRF3CMS17N80SCX
现货，推荐

IRF3CMS17N80SCX

数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRF3CMS17N80SCX
IRF3CMS17N80SCX
数据手册


商品详情

  • 最高 ID (@100°C)
    10 A
  • 最高 ID (@25°C)
    15 A
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    340 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • 最低 VBRDSS
    800 V
  • 封装
    TO-254AA Low Ohmic
  • 拓扑结构
    Discrete
  • 极性
    N
  • 芯片尺寸
    6

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO254-3
封装名 TO-254AA LOW OHMIC
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO254-3
封装名 TO-254AA LOW OHMIC
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRF3CMS17N80SCX 是一款高可靠性、800V、单 N 沟道 MOSFET，采用 TO-254AA 低欧姆封装。它利用 HEXFET MOSFET 技术实现低导通电阻、高跨导以及卓越的反向能量和二极管恢复 dv/dt 能力。非常适合电源、电机控制、音频放大器和其他高能脉冲电路应用。它具有 TX 级筛选，可靠适用于国防应用。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区