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IRF3CMS17N80SCX

数据手册
封装

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IRF3CMS17N80SCX
IRF3CMS17N80SCX
数据手册

商品详情

  • ID (@100°C) max
    10 A
  • ID (@25°C) max
    15 A
  • RDS (on) (@25°C) max
    340 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS min
    800 V
  • Package
    TO-254AA Low Ohmic
  • Polarity
    N
  • Die Size
    6
  • Configuration
    Discrete
受到推崇的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO254-3
封装名 TO-254AA LOW OHMIC
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO254-3
封装名 TO-254AA LOW OHMIC
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRF3CMS17N80SCX 是一款高可靠性、800V、单 N 沟道 MOSFET，采用 TO-254AA 低欧姆封装。它利用 HEXFET MOSFET 技术实现低导通电阻、高跨导以及卓越的反向能量和二极管恢复 dv/dt 能力。非常适合电源、电机控制、音频放大器和其他高能脉冲电路应用。它具有 TX 级筛选，可靠适用于国防应用。

应用

文档

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