IRF5210L
已淘汰
符合RoHS标准

IRF5210L

采用 TO-262 封装的 -100V 单 P 通道功率 MOSFET
数据手册
封装

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IRF5210L
IRF5210L
数据手册


商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    -38 A
  • 最高 Ptot
    200 W
  • Qgd
    64.7 nC
  • QG (typ @10V)
    150 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    60 mΩ
  • 最高 RthJC
    0.75 K/W
  • 最高 Tj
    150 °C
  • 最高 VDS
    -100 V
  • VGS(th) 范围
    -2 V 至 -4 V
  • VGS(th)
    -3 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    I2PAK (TO-262)
  • 极性
    P

OPN
IRF5210LPBF
产品状态 obsolete
英飞凌封装名称
TO262
封装名 I2PAK
封装尺寸 1000
封装类型 TUBE
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态 obsolete
英飞凌封装名称
TO262
封装名 I2PAK
封装尺寸 1000
封装类型 TUBE
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IR MOSFET 系列产品采用成熟的硅工艺，为设计人员提供了丰富的器件组合，以支持各种应用，例如直流电机、逆变器、SMPS、照明、负载开关以及电池供电应用等。这些器件拥有各种表贴封装装和通孔封装产品，都是行业标准封装，便于设计。

特性

  • 适用于宽 SOA 的平面单元结构
  • 针对分销合作伙伴的广泛可用性进行了优化
  • 产品符合 JEDEC 标准
  • 行业标准通孔功率封装
  • 高额定电流

产品优势

  • 增强耐用性
  • 分销合作伙伴广泛供应
  • 行业标准资质水平
  • 标准引脚排列，可直接替换
  • 高电流承载能力

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区