在产
符合RoHS标准

IRF640N

采用 TO-220 封装的 200V 单 N 沟道 MOSFET
数据手册
封装
每件.
有存货

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IRF640N
IRF640N
每件.
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    18 A
  • Ptot max
    150 W
  • Qgd
    22 nC
  • QG (typ @10V)
    44.7 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    150 mΩ
  • RthJC max
    1 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    200 V
  • VGS(th)
    3 V
  • VGS max
    20 V
  • Mounting
    THT
  • Package
    TO-220
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Polarity
    N
  • Budgetary Price €/1k
    0.37
受到推崇的
OPN
IRF640NPBF
产品状态 active
英飞凌封装名称
TO220
封装名 TO220
包装尺寸 1000
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
TO220
封装名 TO220
包装尺寸 1000
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
IR MOSFET 系列产品采用成熟的硅工艺，为设计人员提供了丰富的器件组合，以支持各种应用，例如直流电机、逆变器、SMPS、照明、负载开关以及电池供电应用等。这些器件拥有各种表贴封装装和通孔封装产品，都是行业标准封装，便于设计。

特性

  • 适用于宽 SOA 的平面单元结构
  • 针对分销合作伙伴的最广泛可用性进行了优化
  • 产品符合 JEDEC 标准
  • 针对低于 <100kHz 开关应用进行了硅优化
  • 行业标准通孔功率封装
  • 高额定电流

产品优势

  • 增强的坚固性
  • 可从分销合作伙伴处广泛获取
  • 行业标准资格
  • 低频应用中的高性能
  • 标准引脚排列允许直接替换
  • 高电流能力

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }