IRF6655

IRF6655

采用 DirectFET SH 封装的 100V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET，额定电流为 19 安培。
数据手册

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRF6655
IRF6655
数据手册

商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    19 A
  • 最高 Ptot
    42 W
  • 最高 Ptot (@ TA=25°C)
    2.2 W
  • Qgd
    2.8 nC
  • QG (typ @10V)
    8.7 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    62 mΩ
  • 最高 RthJC
    3 K/W
  • 最高 Tj
    150 °C
  • 最高 VDS
    100 V
  • VGS(th) 范围
    2.8 V 至 4.8 V
  • VGS(th)
    4 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    DirectFET SH
  • 微型模板
    IRF66SH-25
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    1
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区