IRF6798M

采用 DirectFET MX 封装的 25V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET，额定电流为 37 安培，具有低导通电阻。
数据手册

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IRF6798M
IRF6798M
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商品详情

  • ID (@ TA=70°C) max
    30 A
  • ID (@ TC=25°C) max
    197 A
  • ID (@ TA=25°C) max
    37 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    2.8 W
  • Ptot max
    78 W
  • Qgd
    16 nC
  • QG
    50 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    1.3 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    2.1 mΩ
  • RDS (on) max
    1.3 mΩ
  • RthJC max
    1.6 K/W
  • Tj max
    150 °C
  • VDS max
    25 V
  • VGS max
    20 V
  • Mounting
    SMD
  • Package
    DirectFET MX
  • Micro-stencil
    IRF66MX-25
  • Polarity
    N with Schottky
  • Moisture Sensitivity Level
    1
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:

产品优势

  • 符合 RoHS 规定
  • 100% Rg 测试
  • 低轮廓（小于 0.7 毫米）
  • 双面冷却
  • 低传导损耗
  • 针对高频开关进行了优化
  • 低封装电感
  • 集成单片肖特基二极管

应用

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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