IRF7104
不建议用于新设计
符合RoHS标准
无铅

IRF7104

采用 SO-8 封装的 -20V 双 P 通道 IR MOSFET ™
数据手册
封装
视图替换

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRF7104
IRF7104
视图替换
数据手册


商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    -2.3 A
  • 最高 Ptot (@ TA=25°C)
    2 W
  • Qgd (typ)
    3 nC
  • QG (typ @10V)
    9.3 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    250 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    400 mΩ
  • 最高 RthJA
    62.5 K/W
  • 最高 Tj
    150 °C
  • 最高 VDS
    -20 V
  • VGS(th) 范围
    -1 V 至 -3 V
  • VGS(th)
    -2 V
  • 最高 VGS
    12 V
  • 封装
    SO-8
  • 极性
    P+P
  • 湿度敏感等级
    1
  • 预算价格€/1k
    0.3

OPN
IRF7104TRPBF
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
SO8
封装名 SO-8
封装尺寸 4000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
视图替换

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
SO8
封装名 SO-8
封装尺寸 4000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
视图替换

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区