在产
符合RoHS标准
无铅

IRF7205

采用 SO-8 封装的 IR MOSFET -30 V
数据手册
封装
多个 OPN 可用
每件.

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IRF7205
IRF7205
每件.
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    -4.6 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    2.5 W
  • Qgd
    7.5 nC
  • QG (typ @10V)
    27 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    70 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    130 mΩ
  • RthJA max
    50 K/W
  • Tj max
    150 °C
  • VDS max
    -30 V
  • VGS(th)
    -2 V
  • VGS max
    20 V
  • Mounting
    SMD
  • Package
    SO-8
  • Polarity
    P
  • Moisture Sensitivity Level
    1
  • Budgetary Price €/1k
    0.17
受到推崇的
OPN
IRF7205TRPBF IRF7205PBF
产品状态 active obsolete
英飞凌封装名称
SO8
SO8
封装名 SO-8 SO-8
包装尺寸 4000 3800
包装类型 TAPE & REEL TUBE
湿度 1 1
防潮包装 NON DRY NON DRY
无铅 Yes Yes
无卤素 Yes Yes
符合RoHS标准 Yes Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
SO8
封装名 SO-8
包装尺寸 4000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货

产品状态 obsolete
英飞凌封装名称
SO8
封装名 SO-8
包装尺寸 3800
包装类型 TUBE
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IR MOSFET 系列产品采用成熟的硅工艺，为设计人员提供了丰富的器件组合，以支持各种应用，例如直流电机、逆变器、SMPS、照明、负载开关以及电池供电应用等。

产品优势

  • 符合 RoHS 规范
  • 低 RDS(on)
  • 行业领先的品质
  • 动态 dv/dt 额定值
  • 快速开关
  • 完全雪崩额定值
  • 175°C 工作温度

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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