IRF7205
在产
符合RoHS标准
无铅

IRF7205

采用 SO-8 封装的 IR MOSFET -30 V
数据手册
封装
多个 OPN 可用

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRF7205
IRF7205
数据手册


商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    -4.6 A
  • 最高 Ptot (@ TA=25°C)
    2.5 W
  • Qgd
    7.5 nC
  • QG (typ @10V)
    27 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    70 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    130 mΩ
  • 最高 RthJA
    50 K/W
  • 最高 Tj
    150 °C
  • 最高 VDS
    -30 V
  • VGS(th) 范围
    -1 V 至 -3 V
  • VGS(th)
    -2 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    SO-8
  • 极性
    P
  • 湿度敏感等级
    1
  • 预算价格€/1k
    0.17

推荐的
OPN
IRF7205TRPBF IRF7205PBF
产品状态 active obsolete
英飞凌封装名称
SO8
SO8
封装名 SO-8 SO-8
封装尺寸 4000 3800
封装类型 TAPE & REEL TUBE
湿度 1 N/A
防潮封装 NON DRY NON DRY
无铅 Yes Yes
无卤素 Yes Yes
符合RoHS标准 Yes Yes
封装产地
CN,PH,TH
-
晶圆产地
CN,MY,TW,US
-

产品状态
Active
英飞凌封装名称
SO8
封装名 SO-8
封装尺寸 4000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
CN,PH,TH
晶圆产地
CN,MY,TW,US

产品状态 obsolete
英飞凌封装名称
SO8
封装名 SO-8
封装尺寸 3800
封装类型 TUBE
湿度 -
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地 -
晶圆产地 -
IR MOSFET 系列产品采用成熟的硅工艺，为设计人员提供了丰富的器件组合，以支持各种应用，例如直流电机、逆变器、SMPS、照明、负载开关以及电池供电应用等。

产品优势

  • 符合 RoHS 规范
  • 低 RDS(on)
  • 行业领先的品质
  • 动态 dv/dt 额定值
  • 快速开关
  • 完全雪崩额定值
  • 175°C 工作温度

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区