在产
符合RoHS标准
无铅

IRF7309

采用 SO-8 封装的 30V 双 N 通道和 P 通道 HEXFET 功率 MOSFET
数据手册
封装
每件.
有存货

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IRF7309
IRF7309
每件.
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商品详情

  • ID (@25°C) max
    -3 A, 4 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    1.4 W
  • Qgd (typ)
    6 nC, 5.3 nC
  • QG (typ @4.5V)
    16.7 nC, 16.7 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    100 mΩ, 50 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    160 mΩ, 80 mΩ
  • RthJA max
    90 K/W
  • Tj max
    150 °C
  • VDS max
    -30 V, 30 V
  • VGS(th) min
    1 V, -1 V
  • VGS max
    20 V
  • Package
    SO-8
  • Polarity
    N+P
  • Moisture Sensitivity Level
    1
  • Budgetary Price €/1k
    0.22
受到推崇的
OPN
IRF7309TRPBF
产品状态 active
英飞凌封装名称
SO8
封装名 SO-8
包装尺寸 4000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
SO8
封装名 SO-8
包装尺寸 4000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货

产品优势

  • 符合 RoHS 规定
  • 低 RDS(on)
  • 动态 dv/dt 额定值
  • 快速切换
  • 双 N 和 P 沟道 MOSFET

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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