IRF7343
在产
符合RoHS标准
无铅

IRF7343

采用 SO-8 封装的 55V 双 N 通道和 P 通道 HEXFET 功率 MOSFET
数据手册
封装

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IRF7343
IRF7343
数据手册

商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    -3.4 A, 4.7 A
  • 最高 Ptot (@ TA=25°C)
    2 W
  • Qgd (typ)
    8.4 nC, 7 nC
  • QG (typ @10V)
    26 nC, 24 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    105 mΩ, 50 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    170 mΩ, 65 mΩ
  • 最高 RthJA
    62.5 K/W
  • 最高 Tj
    150 °C
  • 最高 VDS
    55 V
  • 最低 VGS(th)
    1 V, -1 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 封装
    SO-8
  • 极性
    N+P
  • 湿度敏感等级
    1
  • 预算价格€/1k
    0.26
推荐的
OPN
IRF7343TRPBF
产品状态 active
英飞凌封装名称
SO8
封装名 SO-8
封装尺寸 4000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
SO8
封装名 SO-8
封装尺寸 4000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

产品优势

  • 符合 RoHS 规定
  • 低 RDS(on)
  • 动态 dv/dt 额定值
  • 快速切换
  • 双 N 和 P 沟道 MOSFET
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }