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IRF7410
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符合RoHS标准
无铅

IRF7410

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采用 SO-8 封装的 IR MOSFET -12 V

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IRF7410
IRF7410


商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    -16 A
  • 最高 Ptot (@ TA=25°C)
    2.5 W
  • Qgd
    25 nC
  • QG (typ @4.5V)
    91 nC
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    7 mΩ
  • 最高 RthJA
    50 K/W
  • 最高 Tj
    150 °C
  • 最高 VDS
    -12 V
  • VGS(th) 范围
    -0.4 V 至 -0.9 V
  • VGS(th)
    -0.65 V
  • 最高 VGS
    8 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    SO-8
  • 极性
    P
  • 湿度敏感等级
    1
  • 预算价格€/1k
    0.36

OPN
IRF7410TRPBF
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
封装名 SO-8
封装尺寸 4000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
CN,PH,TH
晶圆产地
IL

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
封装名 SO-8
封装尺寸 4000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
CN,PH,TH
晶圆产地
IL
IR MOSFET 系列产品采用成熟的硅工艺,为设计人员提供了丰富的器件组合,以支持各种应用,例如直流电机、逆变器、SMPS、照明、负载开关以及电池供电应用等。

产品优势

  • 符合 RoHS 标准
  • 行业领先的质量
  • 行业标准引脚排列
  • P 沟道 MOSFET
文档

设计资源

开发者社区