IRF7450

采用 SO-8 封装的 200V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET
数据手册

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IRF7450
IRF7450
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    2.5 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    3 W
  • Qgd
    12 nC
  • QG (typ @10V)
    26 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    170 mΩ
  • RthJA max
    50 K/W
  • Tj max
    150 °C
  • VDS max
    200 V
  • VGS(th)
    4.25 V
  • VGS max
    30 V
  • Mounting
    SMD
  • Package
    SO-8
  • Polarity
    N
  • Moisture Sensitivity Level
    1
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:

产品优势

  • 符合 RoHS 规定
  • 行业领先的品质
  • 全面表征雪崩电压和电流
  • 低栅极至漏极电荷，可降低开关损耗
  • 全面表征电容，包括有效功耗，以简化设计

应用

文档

文档

设计资源

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