IRF7506

采用 Micro 8 封装的 -30V 双 P 通道 HEXFET 功率 MOSFET

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IRF7506
IRF7506

商品详情

  • ID (@25°C) max
    -1.7 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    1.25 W
  • Qgd (typ)
    2.5 nC
  • QG (typ @10V)
    7.5 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    270 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    450 mΩ
  • RthJA max
    100 K/W
  • Tj max
    150 °C
  • VDS max
    -30 V
  • VGS(th) min
    -1 V
  • VGS max
    20 V
  • Package
    Micro8 (MO-187)
  • Polarity
    P+P
  • Moisture Sensitivity Level
    1
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:

产品优势

  • 符合 RoHS 规定
  • 快速切换
  • 低调(小于 1.1 毫米)
  • 双 P 沟道 MOSFET

应用

文档

设计资源

开发者社区

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