IRF7Y1405CM
不建议用于新设计

IRF7Y1405CM

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IRF7Y1405CM
IRF7Y1405CM
  • 最高 ID (@100°C)
    18 A
  • 最高 ID (@25°C)
    18 A
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    15.3 mΩ
  • 最低 VBRDSS
    55 V
  • 产品类别
    High Reliability MOSFETs
  • 封装
    TO-257AA
  • 极性
    N
  • 电压等级
    100 V
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
IRF7Y1405CM 是一款采用 TO-257AA 封装的高可靠性、55V、单 N 沟道 MOSFET。它利用 HEXFET MOSFET 技术实现低导通电阻、高跨导以及卓越的反向能量和二极管恢复 dv/dt 能力。非常适合电源、电机控制、斩波器、音频放大器和其他高能脉冲电路应用。

应用

文档

设计资源

开发者社区

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