IRF9952
在产
符合RoHS标准
无铅

IRF9952

采用 SO-8 封装的 30V 双 N 通道和 P 通道 HEXFET 功率 MOSFET
数据手册
封装

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IRF9952
IRF9952
数据手册

商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    -2.3 A, 3.5 A
  • 最高 Ptot (@ TA=25°C)
    2 W
  • Qgd (typ)
    1.8 nC, 1.1 nC
  • QG (typ @10V)
    6.9 nC, 6.1 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    250 mΩ, 100 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    150 mΩ, 400 mΩ
  • 最高 RthJA
    62.5 K/W
  • 最高 Tj
    150 °C
  • 最高 VDS
    -30 V, 30 V
  • 最低 VGS(th)
    1 V, -1 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 封装
    SO-8
  • 极性
    N+P
  • 湿度敏感等级
    1
  • 预算价格€/1k
    0.17
推荐的
OPN
IRF9952TRPBF
产品状态 active
英飞凌封装名称
SO8
封装名 SO-8
封装尺寸 4000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
SO8
封装名 SO-8
封装尺寸 4000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

产品优势

  • 符合 RoHS 规定
  • 低 RDS(on)
  • 动态 dv/dt 额定值
  • 快速切换
  • 双 N 和 P 沟道 MOSFET

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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