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IRFB3006G
停产
已停产
符合RoHS标准

IRFB3006G

停产
60V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET，采用无铅无卤素 TO-220AB 封装
数据手册
封装
多个 OPN 可用

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IRFB3006G
IRFB3006G
数据手册

  • 最高 ID
    190 A
  • 最高 ID (@ TC=100°C)
    190 A
  • 最高 ID (@ TC=25°C)
    270 A
  • 最高 Ptot
    375 W
  • Qgd
    60 nC
  • QG
    200 nC
  • 最高 RDS (on)
    2.5 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    2.5 mΩ
  • 最高 RthJC
    0.4 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    60 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO-220
  • 极性
    N

OPN
IRFB3006GPBF IRFB3006GPBFXKMA1
产品状态 discontinued discontinued
英飞凌封装名称
TO220
PG-TO220-3
封装名 TO220 N/A
封装尺寸 1000 1000
封装类型 TUBE TUBE
湿度 NA NA
防潮封装 NON DRY NON DRY
无铅 No Yes
无卤素 Yes Yes
符合RoHS标准 Yes Yes
封装产地
CN
CN
晶圆产地
DE,KR,TW
DE,KR,TW
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
TO220
封装名 TO220
封装尺寸 1000
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
CN
晶圆产地
DE,KR,TW
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称 PG-TO220-3
封装名 -
封装尺寸 1000
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
CN
晶圆产地
DE,KR,TW
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产品优势

  • 符合 RoHS 规定

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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