不建议用于新设计
符合RoHS标准

IRFB3006G

60V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET，采用无铅无卤素 TO-220AB 封装
数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRFB3006G
IRFB3006G
数据手册

商品详情

  • ID max
    190 A
  • ID (@ TC=100°C) max
    190 A
  • ID (@ TC=25°C) max
    270 A
  • Ptot max
    375 W
  • Qgd
    60 nC
  • QG
    200 nC
  • RDS (on) max
    2.5 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    2.5 mΩ
  • RthJC max
    0.4 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    60 V
  • VGS max
    20 V
  • Mounting
    THT
  • Package
    TO-220
  • Polarity
    N
OPN
IRFB3006GPBF IRFB3006GPBFXKMA1
产品状态 not for new design not for new design
英飞凌封装名称
TO220
PG-TO220-3
封装名 TO220 N/A
包装尺寸 1000 1000
包装类型 TUBE TUBE
湿度 NA NA
防潮包装 NON DRY NON DRY
无铅 No Yes
无卤素 Yes Yes
符合RoHS标准 Yes Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
TO220
封装名 TO220
包装尺寸 1000
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称 PG-TO220-3
封装名 -
包装尺寸 1000
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

产品优势

  • 符合 RoHS 规定

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }