请注意该产品已停产。请浏览该产品系列，了解相关的替代型号。 请注意该产品已停产。请浏览该产品系列，了解相关的替代型号。
查看产品系列
IRFB3306G
停产
已停产
符合RoHS标准

IRFB3306G

停产
60V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET，采用无铅无卤素 TO-220AB 封装
数据手册
封装
查看产品系列

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRFB3306G
IRFB3306G
查看产品系列
数据手册


商品详情

  • 最高 ID (@ TC=100°C)
    110 A
  • 最高 ID
    110 A
  • 最高 ID (@ TC=25°C)
    160 A
  • 最高 Ptot
    230 W
  • Qgd
    26 nC
  • QG
    85 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    4.2 mΩ
  • 最高 RDS (on)
    4.2 mΩ
  • 最高 RthJC
    0.65 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    60 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO-220
  • 极性
    N

OPN
IRFB3306GPBF
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
TO220
封装名 TO220
封装尺寸 1000
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
晶圆产地
DE,KR,TW
查看产品系列

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
TO220
封装名 TO220
封装尺寸 1000
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
晶圆产地
DE,KR,TW
查看产品系列

产品优势

  • 符合 RoHS 规定

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区