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符合RoHS标准

IRFB38N20D

采用 TO-220 封装的 200V 单 N 沟道功率 MOSFET
数据手册
封装

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IRFB38N20D
IRFB38N20D
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    43 A
  • Ptot max
    320 W
  • Qgd
    28 nC
  • QG (typ @10V)
    60 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    54 mΩ
  • RthJC max
    0.47 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    200 V
  • VGS(th)
    4 V
  • VGS max
    30 V
  • Mounting
    THT
  • Package
    TO-220
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Polarity
    N
  • Budgetary Price €/1k
    0.89
受到推崇的
OPN
IRFB38N20DPBF
产品状态 active
英飞凌封装名称
TO220
封装名 TO220
包装尺寸 1000
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
TO220
封装名 TO220
包装尺寸 1000
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IR MOSFET 系列产品采用成熟的硅工艺，为设计人员提供了丰富的器件组合，以支持各种应用，例如直流电机、逆变器、SMPS、照明、负载开关以及电池供电应用等。这些器件拥有各种表贴封装装和通孔封装产品，都是行业标准封装，便于设计。

特性

  • 适用于宽 SOA 的平面单元结构
  • 针对最广泛的可用性进行了优化
  • 符合 JEDEC 的产品认证
  • 针对应用进行了优化的硅片
  • 行业标准通孔电源
  • 高额定电流

产品优势

  • 增强耐用性
  • 广泛销售
  • 行业标准认证
  • 高性能、低频
  • 标准引脚排列、直接更换
  • 高电流能力

文档

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