IRFBA1405P

IRFBA1405P

55V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET，采用 Super 220（TO-273AA）封装
数据手册

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IRFBA1405P
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商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    174 A
  • 最高 Ptot
    330 W
  • Qgd
    62 nC
  • QG (typ @10V)
    170 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    5 mΩ
  • 最高 RthJC
    0.45 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    55 V
  • VGS(th) 范围
    2 V 至 4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    Super-220 (TO-273)
  • 极性
    N

OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准

产品优势

  • 符合 RoHS 规定
  • 低 RDS(on)
  • 行业领先的品质
  • 动态 dv/dt 额定值
  • 快速切换
  • 完全符合雪崩等级
  • 工作温度 175°C

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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