IRFBA1405P

55V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET，采用 Super 220（TO-273AA）封装
数据手册

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IRFBA1405P
IRFBA1405P
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商品详情

  • ID (@25°C) max
    174 A
  • Ptot max
    330 W
  • Qgd
    62 nC
  • QG (typ @10V)
    170 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    5 mΩ
  • RthJC max
    0.45 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    55 V
  • VGS(th)
    3 V
  • VGS max
    20 V
  • Mounting
    THT
  • Package
    Super-220 (TO-273)
  • Polarity
    N
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:

产品优势

  • 符合 RoHS 规定
  • 低 RDS(on)
  • 行业领先的品质
  • 动态 dv/dt 额定值
  • 快速切换
  • 完全符合雪崩等级
  • 工作温度 175°C

应用

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

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