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IRFG5110

数据手册
封装

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IRFG5110
IRFG5110
数据手册

商品详情

  • ID (N-CH @100°C) max
    0.6 A
  • ID (N-CH @25°C) max
    1 A
  • ID (P-CH @100°C) max
    -0.6 A
  • ID (P-CH @25°C) max
    -1 A
  • RDS (on) (N-CH @25°C) max
    700 mΩ
  • RDS (on) (P-CH @25°C) max
    700 mΩ
  • VBRDSS min
    100 V
  • Package
    MO-036AB
  • Polarity
    2N / 2P
  • Configuration
    Dual
受到推崇的
OPN
IRFG5110EWSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-DIP-14
封装名 14 Pin Dual SB - Quad
包装尺寸 1
包装类型 TRAY
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-DIP-14
封装名 14 Pin Dual SB - Quad
包装尺寸 1
包装类型 TRAY
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRFG5110 是一款 100V 双 2N 和 2P 通道高可靠性 MOSFET，采用 R4 HEXFET 技术 MO-036AB 封装。它具有低导通电阻、高跨导的特点，非常适合电源、电机控制和音频放大器等高可靠性应用。隔离封装提高了热效率并减少了功耗。

应用

文档

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