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符合RoHS标准

IRFH4253D

25V 双 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET，采用 PQFN 5mm x 6mm 无铅封装
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IRFH4253D
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商品详情

  • ID max
    64 A, 145 A
  • IDpuls max
    120 A, 580 A
  • Ptot max
    31 W, 50 W
  • Qgd
    12 nC, 3.8 nC
  • QG
    10 nC, 31 nC
  • RDS (on) (@4.5V) max
    1.45 mΩ, 4.6 mΩ
  • RDS (on) max
    1.1 mΩ, 3.2 mΩ
  • RthJA max
    38 K/W, 34 K/W
  • Tj min
    -55 °C
  • VDS max
    25 V, 25 V
  • VGS max
    20 V
  • 封装
    PowerStage 5x6 (TISON-8)
  • 工作温度 min
    -55 °C
  • 极性
    N+N
  • 湿度敏感等级
    1
  • 特殊功能
    Logic Level, Schottky (includes Schottky like and FETky)
推荐的
OPN
IRFH4253DTRPBF
产品状态 active
英飞凌封装名称 PG-TISON-8
封装名 N/A
包装尺寸 4000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称 PG-TISON-8
封装名 -
包装尺寸 4000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货

产品优势

  • 符合 RoHS 规定
  • 合格的工业
  • 合格的 MSL1
  • 双 N 沟道 MOSFET
  • 控制和同步 MOSFET 集成在一个封装中
  • 低充电控制MOSFET
  • 低导通电阻同步 MOSFET
  • Q2 上的低正向电压本征肖特基二极管
  • FastIRFET ™

应用

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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