IRFH5104

采用 PQFN 封装的 40V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET
数据手册

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IRFH5104
IRFH5104
数据手册

商品详情

  • 最高 ID (@ TA=25°C)
    24 A
  • 最高 ID
    86 A
  • 最高 ID (@ TC=25°C)
    100 A
  • 最高 ID (@ TA=70°C)
    19 A
  • 最高 ID (@ TC=100°C)
    86 A
  • 最高 Ptot (@ TA=25°C)
    3.6 W
  • 最高 Ptot
    114 W
  • Qgd
    19 nC
  • QG
    53 nC
  • 最高 RDS (on)
    3.5 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    3.5 mΩ
  • 最高 RthJC
    1.1 K/W
  • 最高 Tj
    150 °C
  • 最高 VDS
    40 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    PQFN 5 x 6 B
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    1
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:

产品优势

  • 低 RDSon（小于 3.5 毫欧姆）可降低传导损耗
  • PCB 热阻低（低于 1.1°C/W）可实现更佳的散热效果
  • 100% Rg 测试，可靠性更高
  • 低剖面（小于 0.9 毫米）可提高功率密度
  • 行业标准引脚排列，兼容多供应商
  • 与现有的表面贴装技术兼容，更易于制造
  • 符合 RoHS 环保标准，不含铅、溴化物和卤素
  • MSL1 工业认证可提高可靠性

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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