IRFHM4231

采用 3.3mm X 3.3mm PQFN 封装的 25V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET
数据手册

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IRFHM4231
IRFHM4231
数据手册

商品详情

  • ID (@ TA=25°C) max
    22 A
  • ID max
    46 A
  • ID (@ TC=25°C) max
    72 A
  • ID (@ TC=100°C) max
    46 A
  • Ptot max
    29 W
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    2.7 W
  • Qgd
    3.6 nC
  • QG
    9.7 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    3.4 mΩ
  • RDS (on) max
    3.4 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    4.6 mΩ
  • RthJC max
    4.3 K/W
  • Tj max
    150 °C
  • VDS max
    25 V
  • VGS max
    20 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    PQFN 3.3 x 3.3
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    1
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:

产品优势

  • 低电荷（典型值 9.7nC）
  • 低导通电阻 (小于 3.4 毫欧姆)
  • PCB 热阻低（低于 4.3°C/W）
  • 低调（小于 0.9 毫米）
  • 行业标准引脚排列
  • 与现有的表面贴装技术兼容
  • 符合 RoHS 规定，不含卤素
  • MSL1，工业资格
  • FastIRFET ™

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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