IRFHM8228

采用 3.3mm X 3.3mm PQFN 封装的 25V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET
数据手册

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IRFHM8228
IRFHM8228
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商品详情

  • ID (@25°C) max
    65 A
  • Ptot max
    34 W
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    2.8 W
  • Qgd
    3.1 nC
  • QG (typ @4.5V)
    9 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    5.2 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    8.7 mΩ
  • RthJC max
    3.7 K/W
  • VDS max
    25 V
  • VGS(th)
    1.8 V
  • VGS max
    20 V
  • Mounting
    SMD
  • Package
    PQFN 3.3 x 3.3
  • Polarity
    N
  • Moisture Sensitivity Level
    1
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:

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