IRFHM8330

30V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET,采用 3.3mm X 3.3mm PQFN 封装

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IRFHM8330
IRFHM8330

商品详情

  • ID (@25°C) max
    55 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    2.7 W
  • Ptot max
    33 W
  • Qgd
    2.5 nC
  • QG (typ @4.5V)
    9.3 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    6.6 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    9.9 mΩ
  • RthJC max
    3.8 K/W
  • Tj max
    150 °C
  • VDS max
    30 V
  • VGS(th)
    1.8 V
  • VGS max
    20 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    PQFN 3.3 x 3.3
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    1
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:

应用

文档

设计资源

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