IRFHM8337

IRFHM8337

30V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET，采用 3.3mm X 3.3mm PQFN 封装
数据手册

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IRFHM8337
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商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    35 A
  • 最高 Ptot (@ TA=25°C)
    2.8 W
  • 最高 Ptot
    25 W
  • Qgd
    2.2 nC
  • QG (typ @4.5V)
    5.4 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    12.4 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    17.9 mΩ
  • 最高 RthJC
    5 K/W
  • 最高 VDS
    30 V
  • VGS(th) 范围
    1.35 V 至 2.35 V
  • VGS(th)
    1.8 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    PQFN 3.3 x 3.3
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    1

OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准

应用

文档

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