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停产
已停产
符合RoHS标准
无铅

IRFI4227

停产
采用 TO-220 FullPak 封装的 200V 单 N 沟道功率 MOSFET
数据手册
封装

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IRFI4227
IRFI4227
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    26 A
  • Ptot max
    18 W
  • Qgd
    21 nC
  • QG (typ @10V)
    73 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    25 mΩ
  • RthJC max
    0.45 K/W
  • Tj max
    150 °C
  • VDS max
    200 V
  • VGS(th)
    4 V
  • VGS max
    30 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO-220 FullPAK
  • 工作温度
    -40 °C to 150 °C
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    1.33
OPN
IRFI4227PBF
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
FULLPAK220
封装名 TO-220 FullPAK
包装尺寸 2000
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
FULLPAK220
封装名 TO-220 FullPAK
包装尺寸 2000
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
StrongIRFET™ 功率 MOSFET 系列针对低 RDS(on) 和高电流能力进行了优化。 这些器件非常适合要求高性能和耐用性的低频应用。丰富的产品组合适合广泛的应用，包括直流电机、电池管理系统、逆变器和 DC-DC 变换器。

特性

  • 针对最广泛的可用性进行了优化
  • 产品符合 JEDEC 认证
  • 针对开关频率 <100kHz 进行了优化的硅片
  • 隔离封装

产品优势

  • 分布广泛
  • 行业标准资质水平
  • 高性能、低频率
  • 无需绝缘硬件

应用

文档

文档

设计资源

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