IRFIB41N15D
已淘汰
符合RoHS标准
无铅

IRFIB41N15D

TO-220 全封装 (Iso) 中的 150V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET
数据手册
封装

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IRFIB41N15D
IRFIB41N15D
数据手册


商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    41 A
  • 最高 Ptot
    200 W
  • Qgd
    35 nC
  • QG (typ @10V)
    72 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    45 mΩ
  • 最高 RthJC
    3.14 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    150 V
  • VGS(th) 范围
    3 V 至 5.5 V
  • VGS(th)
    4.25 V
  • 最高 VGS
    30 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO-220 FullPAK
  • 极性
    N

OPN
IRFIB41N15DPBF
产品状态 obsolete
英飞凌封装名称
FULLPAK220
封装名 TO-220 FullPAK
封装尺寸 2000
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态 obsolete
英飞凌封装名称
FULLPAK220
封装名 TO-220 FullPAK
封装尺寸 2000
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

产品优势

  • 符合 RoHS 规定
  • 行业领先的品质
  • 全面表征雪崩电压和电流
  • 低栅极至漏极电荷，可降低开关损耗
  • 全面表征电容，包括有效功耗，以简化设计

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区