IRFMG50SCV

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IRFMG50SCV
IRFMG50SCV

商品详情

  • ID (@100°C) max
    3.5 A
  • ID (@25°C) max
    5.6 A
  • RDS (on) (@25°C) max
    2000 mΩ
  • VBRDSS min
    1000 V
  • 封装
    TO-254AA
  • 极性
    N
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
IRFMG50SCV 是一款高可靠性、1000V、单 N 沟道 MOSFET,采用 TO-254AA 封装。它利用 HEXFET MOSFET 技术实现低导通电阻、高跨导以及卓越的反向能量和二极管恢复 dv/dt 能力。非常适合电源、电机控制、斩波器、音频放大器和其他高能脉冲电路应用。它具有TXV级筛选,适用于国防应用。

应用

文档

设计资源

开发者社区

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