IRFN054
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IRFN054

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封装

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IRFN054
IRFN054
数据手册


商品详情

  • 最高 ID (@100°C)
    40 A
  • 最高 ID (@25°C)
    55 A
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    20 mΩ
  • 最低 VBRDSS
    60 V
  • 封装
    SMD-1
  • 拓扑结构
    Discrete
  • 极性
    N

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-1 standard
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 1
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
封装产地
MX
晶圆产地
US

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-1 standard
封装尺寸 0
封装类型
湿度 1
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
MX
晶圆产地
US
IRFN054 是一款采用 SMD-1 封装的高可靠性 60V 单 N 沟道 MOSFET。它利用 HEXFET MOSFET 技术实现低导通电阻、高跨导以及卓越的反向能量和二极管恢复 dv/dt 能力。非常适合电源、电机控制、斩波器、音频放大器和其他高能脉冲电路应用。

应用

文档

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