IRFN054SCV
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IRFN054SCV

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封装

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IRFN054SCV
IRFN054SCV
数据手册


商品详情

  • 最高 ID (@100°C)
    40 A
  • 最高 ID (@25°C)
    55 A
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    20 mΩ
  • 最低 VBRDSS
    60 V
  • 封装
    SMD-1
  • 极性
    N
  • 配置
    Discrete

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-1 standard
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-1 standard
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRFN054SCV 是一款采用 SMD-1 封装的高可靠性、60V、单 N 沟道 MOSFET。它利用 HEXFET MOSFET 技术实现低导通电阻、高跨导以及卓越的反向能量和二极管恢复 dv/dt 能力。非常适合电源、电机控制、斩波器、音频放大器和其他高能脉冲电路应用。它具有TXV级筛选，适用于国防应用。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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