IRFN054SCX
现货，推荐

IRFN054SCX

数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRFN054SCX
IRFN054SCX
数据手册


商品详情

  • 最高 ID (@100°C)
    40 A
  • 最高 ID (@25°C)
    55 A
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    20 mΩ
  • 最低 VBRDSS
    60 V
  • 封装
    SMD-1
  • 拓扑结构
    Discrete
  • 极性
    N

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-1 standard
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-1 standard
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRFN054SCX 是一款采用 SMD-1 封装的高可靠性、60V、单 N 沟道 MOSFET。它利用 HEXFET MOSFET 技术实现低导通电阻、高跨导以及卓越的反向能量和二极管恢复 dv/dt 能力。非常适合电源、电机控制、斩波器、音频放大器和其他高能脉冲电路应用。它具有TX级筛选，适用于国防应用。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区