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IRFNG50

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IRFNG50
IRFNG50
数据手册

商品详情

  • ID (@100°C) max
    3.5 A
  • ID (@25°C) max
    5.5 A
  • RDS (on) (@25°C) max
    2000 mΩ
  • VBRDSS min
    1000 V
  • Package
    SMD-1
  • Polarity
    N
  • Configuration
    Discrete
OPN
IRFNG50EPSA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-1 standard
包装尺寸 1
包装类型 TRAY
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-1 standard
包装尺寸 1
包装类型 TRAY
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRFNG50 是一款高可靠性、1000V、单 N 沟道 MOSFET，采用 SMD-1 封装。它利用 HEXFET MOSFET 技术实现低导通电阻、高跨导以及卓越的反向能量和二极管恢复 dv/dt 能力。非常适合电源、电机控制、斩波器、音频放大器和其他高能脉冲电路应用。

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