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IRFP054N
停产
已停产
符合RoHS标准

IRFP054N

停产
采用 TO-247 封装的 55V 单 N 沟道功率 MOSFET
封装

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IRFP054N
IRFP054N

商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    81 A
  • 最高 Ptot
    130 W
  • Qgd
    35.3 nC
  • QG (typ @10V)
    86.7 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    12 mΩ
  • 最高 RthJC
    1.2 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    55 V
  • VGS(th) 范围
    2 V 至 4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO-247
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    1.07
OPN
IRFP054NPBF
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
TO247
封装名 TO247
封装尺寸 400
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
TO247
封装名 TO247
封装尺寸 400
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IR MOSFET 系列产品采用成熟的硅工艺，为设计人员提供了丰富的器件组合，以支持各种应用，例如直流电机、逆变器、SMPS、照明、负载开关以及电池供电应用等。这些器件拥有各种表贴封装装和通孔封装产品，都是行业标准封装，便于设计。

特性

  • 适用于宽 SOA 的平面单元结构
  • 针对分销合作伙伴的广泛可用性进行了优化
  • 产品符合 JEDEC 标准
  • 针对低于 <100kHz 开关应用进行硅优化
  • 行业标准通孔功率封装
  • 高额定电流

产品优势

  • 增强耐用性
  • 可从分销合作伙伴处广泛获取
  • 行业标准资质水平
  • 低频应用中的高性能
  • 标准引脚排列允许直接替换
  • 高载流能力

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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