IRFR13N15D

IRFR13N15D

采用 D-Pak 封装的 150V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET
数据手册

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRFR13N15D
IRFR13N15D
数据手册


商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    14 A
  • 最高 Ptot
    86 W
  • Qgd
    9.4 nC
  • QG (typ @10V)
    19 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    180 mΩ
  • 最高 RthJC
    1.75 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    150 V
  • VGS(th) 范围
    3 V 至 5.5 V
  • VGS(th)
    4.25 V
  • 最高 VGS
    30 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    DPAK (TO-252)
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    1

OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准

产品优势

  • 符合 RoHS 规定
  • 低 RDS(on)
  • 行业领先的品质
  • 动态 dv/dt 额定值
  • 快速切换
  • 完全符合雪崩等级
  • 工作温度 175°C

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区