IRFR3505

采用 D-Pak 封装的 55V 单 N 通道 IR MOSFET
数据手册

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IRFR3505
IRFR3505
数据手册

商品详情

  • ID max
    49 A
  • ID (@ TC=25°C) max
    71 A
  • ID (@ TC=100°C) max
    49 A
  • Ptot max
    140 W
  • Qgd
    22 nC
  • QG
    62 nC
  • RDS (on) max
    13 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    13 mΩ
  • RthJC max
    1.09 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    55 V
  • VGS max
    20 V
  • Mounting
    SMD
  • Package
    DPAK (TO-252)
  • Polarity
    N
  • Moisture Sensitivity Level
    1
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
IR MOSFET 系列产品采用成熟的硅工艺，为设计人员提供了丰富的器件组合，以支持各种应用，例如直流电机、逆变器、SMPS、照明、负载开关以及电池供电应用等。这些器件拥有各种表贴封装装和通孔封装产品，都是行业标准封装，便于设计。

特性

  • 适用于宽 SOA 的平面单元结构
  • 针对分销合作伙伴的广泛可用性进行了优化
  • 产品符合 JEDEC 标准
  • 针对低于 <100kHz 开关应用进行了硅优化
  • 行业标准表面贴装封装

产品优势

  • 增强耐用性
  • 分销合作伙伴广泛供应
  • 行业标准资质水平
  • 低频应用中的高性能
  • 标准引脚排列允许直接替换

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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