IRFSL4227

IRFSL4227

采用 TO-262 封装的 200V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET PDP 开关

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IRFSL4227
IRFSL4227

商品详情

  • 最高 ID (@ TC=25°C)
    62 A
  • 最高 ID (@ TC=100°C)
    44 A
  • 最高 ID
    44 A
  • 最高 Ptot
    330 W
  • Qgd
    23 nC
  • QG
    70 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    26 mΩ
  • 最高 RDS (on)
    26 mΩ
  • 最高 RthJC
    0.45 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    200 V
  • 最高 VGS
    30 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    I2PAK (TO-262)
  • 极性
    N
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:

产品优势

  • 符合 RoHS 规定

应用

文档

设计资源

开发者社区